Рассмотрен подход к технической реализации ведомственной сети на основе современных информационных технологий. Предлагается структура подсистем передачи данных, локальных вычислительных сетей, ведомственной телефонной связи, которые используются на ряде объектах Федеральной таможенной службы РФ. Даны рекомендации по выбору оборудования, проектирования и проблем отладки телекоммуникационных систем.

Вольтамперные характеристики зон контакта между двумя различными полупроводниками или металлом и полупроводником хорошо изучены. Однако при разработке новых транзисторных структур могут встретиться некоторые особенности. Так, в устройствах для регистрации слабых сигналов малосигнальные нелинейности могут оказывать значительное влияние на результаты измерений. В предлагаемом устройстве для тестирования нелинейности полупроводниковых структур при слабых сигналах используется интегрирование токов, протекающих через структуру под воздействием двуполярного сигнала синусоидальной формы. Это позволяет сократить трудоемкость тестирования по сравнению со снятием характеристик «по точкам». Кроме того, синхронизация частоты повторения тактов интегрирования с частотой питающей сети позволила существенно ослабить влияние сетевых помех на результаты тестирования. Тем не менее, устройство нуждается в тщательной экранировке.

Описан способ повышения уровня информационного сигнала в совмещенной линии энергоснабжения и связи локальной системы управления. Было установлено, что отмеченные в экспериментах колебания уровня несущей частоты с частотой 400 Гц обусловлены влиянием конденсаторов сглаживающих фильтров выпрямителей, подключенных к линии. Приведен расчет защитных дросселей, позволяющих устранить влияние указанных конденсаторов и низкоомных нагрузок на информационные посылки.

Дифференциальные каскады в цифровых блоках увеличивают рабочие частоты, снижают уровень электромагнитных помех, уменьшают потребляемую мощность. Новое поколение трехмерных транзисторов имеет более определенную периодическую трехмерную структуру, что позволяет повысить точность одномерной схемотехнической spice-аппроксимации трехмерного транзистора и использовать более простые, более предсказуемые, принципиально иные одномерные схемотехнические методы коррекции характеристик дифференциальных каскадов вместо применявшихся ранее трехмерных технологических методов коррекции характеристик дифференциальных каскадов с терафлопной вычислительной сложностью.

Компаратор является основой большого числа электронных схем. Быстродействие ком-паратора, большой диапазон синфазных сигналов, малые входные токи, небольшая потребля-емая мощность – вот те параметры, которые во многом определяют качество устройства, выполненного на его основе. В докладе рассматривается компаратор, обладающий высокими характеристиками. Он состоит из входного каскада, широкополосного усилителя, схемы сдвига уровня сигнала и выходного каскада.