Обсуждается выбор круга задач технологии СБИС и проектирования при- борных структур микро- и наноэлектроники, для моделирования которых релевантны нейросетевые методы. Показаны примеры применения К-систем, в частности, для сенсора УФ-излучения на основе матрицы наностержней.