Саратов

60882

Автор(ы): 

Автор(ов): 

3

Параметры публикации

Тип публикации: 

Статья в журнале/сборнике

Название: 

Анизотропия поверхностного слоя d-элементов

Электронная публикация: 

Да

ISBN/ISSN: 

1812-7320

DOI: 

10.17513/snt.38499

Наименование источника: 

  • Современные наукоемкие технологии

Обозначение и номер тома: 

№ 2

Город: 

  • Саратов

Издательство: 

  • Издательский Дом «Академия Естествознания»

Год издания: 

2021

Страницы: 

88-93 http://top-technologies.ru/ru/article/view?id=38499
Аннотация
Предложена эмпирическая модель поверхностного слоя металла, состоящая из слоев R0, R(I), R(II), R∞. Слой R0 называется дебройлевским слоем, и для чистых металлов его толщина находится от 0,1 Å до 1 Å. В слое R0 происходят квантованные размерные процессы. В слое R(I) отмечают коллектив атомов металла и потому их называют внутренними или коллективными явлениями. Размерные эффекты такого типа существуют только в наноструктурах и для металлов составляют от 1 до 7 нм. Толщина слоя R(II) равна ориентировочно R(II) ≈ 9 R = R∞ (< 100 нм). Этот слой связан с объемной фазой, и в этом слое протекают размерные процессы, связанные с длиной свободного пробега фононов, электронов, магнонов и другими квазичастицами в твердом теле. Уравнение А.И. Русанова, связывающее поверхностную энергию с размером частицы, справедливо только в слое R(I). Учет этого уравнения в нашей модели приводит к анизотропии кристаллической решетки металла. В работе Шебзуховой и Арефьевой электронно-статистическим методом сделана оценка поверхностной энергии в ее анизотропной части и работа испускания электронов из металлов. В работе Бокарева оценка поверхностной энергии в ее анизотропной части произведена путем моделирования плавления кристалла. В предложенной нами эмпирической модели рассчитывается не только анизотропия, но и толщина поверхностного слоя металла.

Библиографическая ссылка: 

Юров В.М., Гончаренко В.И., Олешко В.С. Анизотропия поверхностного слоя d-элементов // Современные наукоемкие технологии. 2021. № 2. С. 88-93 http://top-technologies.ru/ru/article/view?id=38499.

Захаров О. В. (Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.)

Фамилия: 

Захаров

Имя: 

Олег

Отчество: 

Владимирович
Место работы

Организация: 

Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

Город: 

  • Саратов

 

59601

Автор(ы): 

Автор(ов): 

3

Параметры публикации

Тип публикации: 

Доклад

Название: 

Next-generation switching system based on 8х8 self-turning optical cell

ISBN/ISSN: 

978-1-5386-4487-4

DOI: 

10.1109/APEDE.2018.8542431

Наименование конференции: 

  • 2018 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering (APEDE'2018, Saratov)

Наименование источника: 

  • Proceedings of the International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering (APEDE'2018, Saratov)

Город: 

  • Саратов

Издательство: 

  • IEEE

Год издания: 

2018

Страницы: 

306-309 https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8542431
Аннотация
In this work the 8×8 - and 64×64 next generation switching systems are presented for the first time. These systems are built on the new type 1×8 displacement system. It is very important that these systems are self-adjusting and they are functioning without external control system. The comparison of the parameters of the presented switching system with the parameters of the well-known ones are carried out and presented here. It is shown that the complexity of the presented schemes is much lower and the reliability is higher than the analogous parameters for the schemes previously described in the scientific literature. В данной работе впервые представлены коммутационные системы нового поколения размерностью 8х8 и 64х64. В основе данных систем лежат отклоняющие системы 1х8. Важно то, что данные системы являются самонастраивающимися и функционируют без внешнего управляющего устройства. В работе представлено сравнение параметров системы с параметрами известных схем. Показано, что сложность данных систем значительно ниже схем, представленных в научной литературе, а их надежность выше, так как данные системы являются резервируемыми.

Библиографическая ссылка: 

Вытовтов К.А., Барабанова Е.А., Барабанов И.О. Next-generation switching system based on 8х8 self-turning optical cell / Proceedings of the International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering (APEDE'2018, Saratov). Саратов: IEEE, 2018. С. 306-309 https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8542431.

Страницы