Рассмотрено влияние магнитного поля, направленного ортогонально оси легкого намагничивания спин-туннельного перехода эллиптической формы на основе структуры Ta/CoFe/CoFeB/MgO/CoFeB/Ru/CoFe/FeMn/Ta, на зависимость сопротивления СТП от внешнего магнитного поля. Проведен расчет данной зависимости с использованием модели когерентного вращения намагниченности свободного слоя. Результаты расчетов сопоставимы с экспе- риментальными исследованиями и могут применяться при моделировании конструкции преобразователей магнитного поля на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур.