67498 | ИПУ РАН

Автор(ы):

Автор(ов):

Параметры публикации

Тип публикации:

Статья в журнале/сборнике

Название:

Study of Spin-Tunnel Junction Magnetization Using Coherent Rotation of the Free Layer Magnetization Model

ISBN/ISSN:

1063-7397

DOI:

10.1134/S1063739721060020

Наименование источника:

Russian Microelectronics

Обозначение и номер тома:

Vol. 50, No. 6

Город:

Москва

Издательство:

Pleiades Publishing, Ltd.

Год издания:

2021

Страницы:

420-425

Аннотация

Рассмотрено влияние магнитного поля, направленного ортогонально оси легкого намагничи- вания спин-туннельного перехода (СТП) эллиптической формы на основе структуры Ta/CoFe/CoFeB/MgO/CoFeB/Ru/CoFe/FeMn/Ta, на зависимость сопротивления СТП от внешнего магнитного поля. Проведен расчет данной зависимости с использованием модели когерентного вращения намагниченности свободного слоя. Результаты расчетов сопоставимы с экспериментальными исследованиями и могут применяться при моделировании конструкции преобразователей магнитного поля на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур.

Библиографическая ссылка:

Амеличев В.В., Васильев Д.В., Костюк Д.В., Казаков Ю.В., Касаткин С.И., Поляков О.П., Поляков П.А., Шевцов В.С. Study of Spin-Tunnel Junction Magnetization Using Coherent Rotation of the Free Layer Magnetization Model // Russian Microelectronics. 2021. Vol. 50, No. 6. С. 420-425.

Публикация имеет версию на другом языке или вышла в другом издании, например, в электронной (или онлайн) версии журнала:

Да

Связь с публикацией:

Амеличев В.В., Васильев Д.В., Костюк Д.В., Казаков Ю.В., Касаткин С.И., Поляков О.П., Поляков П.А., Шевцов В.С. Исследование процесса перемагничивания спин-туннельного перехода с использованием модели когерентного вращения намагниченности свободного слоя. // Микроэлектроника. 2021. Т. 50, № 6. С. 461-466.