9022

Автор(ы): 

Автор(ов): 

4

Параметры публикации

Тип публикации: 

Доклад

Название: 

Применение тонкоплёночных магниторезистивных наноструктур в перспективных компонентах микроэлектроники

Наименование конференции: 

  • Труды Междунар. конф.

Город: 

  • Таганрог

Издательство: 

  • Президент

Год издания: 

2010

Страницы: 

175-176
Аннотация
Описан разработанный конструкторско-технологический базис для создания магниторезистивных преобразователей магнитного поля.

Библиографическая ссылка: 

Амеличев В.В., Гамарц И.А., Касаткин С.И., Резнев А.А. Применение тонкоплёночных магниторезистивных наноструктур в перспективных компонентах микроэлектроники / . Таганрог: Президент, 2010. С. 175-176.