Автор(ы): Матюшкин И. В. (АО "НИИМЭ")Тельминов О. А. (ИПУ РАН, Лаборатория 80)Автор(ов): 2 Параметры публикацииТип публикации: Статья в журнале/сборникеНазвание: Условия применимости формализма к-систем и нейросетей к имитационному моделированию процессов и приборов наноэлектроникиISBN/ISSN: 1993-8578DOI: 10.22184/1993-8578.2025.18.11s.492.494Наименование источника: НаноиндустрияОбозначение и номер тома: Т. 18, № S11-2(135)Город: МоскваИздательство: АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера"Год издания: 2025Страницы: 492-494 АннотацияОбсуждается выбор круга задач технологии СБИС и проектирования приборных структур микро- и наноэлектроники, для моделирования которых релевантны нейросетевые методы. Показаны примеры применения К-систем, в частности для сенсора УФ-излучения на основе матрицы наностержней. Библиографическая ссылка: Матюшкин И.В., Тельминов О.А. Условия применимости формализма к-систем и нейросетей к имитационному моделированию процессов и приборов наноэлектроники // Наноиндустрия. 2025. Т. 18, № S11-2(135). С. 492-494.
