8238

Автор(ы): 

Автор(ов): 

2

Параметры публикации

Тип публикации: 

Тезисы доклада

Название: 

Сравнение эффективности отжига радиационных дефектов при помощи инфракрасного излучения для биполярных и МОП транзисторов

Наименование конференции: 

  • Радиационная стойкость электронных систем

Город: 

  • -

Издательство: 

  • -

Год издания: 

2010

Страницы: 

98-99
Аннотация
Было проведено сравнение эффективности отжига инфракрасным излучением радиационных дефектов в биполярных и МОП транзисторах. Установлено, что в МОП транзисторах такой отжиг слабее, предположительно, вследствие того, что окисел закрыт слоем металла затвора, что затрудняет проникновение в него инфракрасного излучения.

Библиографическая ссылка: 

Башин А.Ю., Селезнев А.Н. Сравнение эффективности отжига радиационных дефектов при помощи инфракрасного излучения для биполярных и МОП транзисторов / . -: -, 2010. С. 98-99.