Автор(ы): Башин А. Ю. (ИПУ РАН, Лаборатория 02) НЕАКТУАЛЬНАЯ ЗАПИСЬСелезнев А. Н. (?)Автор(ов): 2 Параметры публикацииТип публикации: Тезисы докладаНазвание: Сравнение эффективности отжига радиационных дефектов при помощи инфракрасного излучения для биполярных и МОП транзисторовНаименование конференции: Радиационная стойкость электронных системГород: -Издательство: -Год издания: 2010Страницы: 98-99 АннотацияБыло проведено сравнение эффективности отжига инфракрасным излучением радиационных дефектов в биполярных и МОП транзисторах. Установлено, что в МОП транзисторах такой отжиг слабее, предположительно, вследствие того, что окисел закрыт слоем металла затвора, что затрудняет проникновение в него инфракрасного излучения. Библиографическая ссылка: Башин А.Ю., Селезнев А.Н. Сравнение эффективности отжига радиационных дефектов при помощи инфракрасного излучения для биполярных и МОП транзисторов / . -: -, 2010. С. 98-99.