8230

Автор(ы): 

Автор(ов): 

2

Параметры публикации

Тип публикации: 

Тезисы доклада

Название: 

Исследование зависимости эффективности отжига радиационных дефектов в МОП транзисторах при помощи инфракрасного излучения от интенсивности данного излучения

Наименование конференции: 

  • Радиационная стойкость электронных систем

Город: 

  • -

Издательство: 

  • -

Год издания: 

2010

Страницы: 

91-92
Аннотация
В данной работе проводилось исследование эффективности отжига радиационных дефектов в зависимости от количества инфракрасных светодиодов (т.е. интенсивности), облучающих поверхность кристалла с МОП транзисторами. Как и предполагалось, было установлено, что при некоторой интенсивности излучения, наступает «насыщение» отжига, и дальнейшее её увеличение не приводит к существенному ускорению процесса.

Библиографическая ссылка: 

Башин А.Ю., Иванов М.А. Исследование зависимости эффективности отжига радиационных дефектов в МОП транзисторах при помощи инфракрасного излучения от интенсивности данного излучения / . -: -, 2010. С. 91-92.