79910

Автор(ы): 

Матюшкин И. В. (АО "НИИМЭ")
Тельминов О. А. (ИПУ РАН, Лаборатория 80)

Автор(ов): 

2

Параметры публикации

Тип публикации: 

Тезисы доклада

Название: 

Условия применимости формализма К-систем и нейросетей к имитационному моделированию процессов и приборов наноэлектроники

Наименование конференции: 

  • X Российский форум "Микроэлектроника 2024"

Наименование источника: 

  • Сборник тезисов докладов X Российского форума "Микроэлектроника 2024"

Обозначение и номер тома: 

Сборник тезисов докладов X Российского форума "Микроэлектроника 2024"

Город: 

  • Москва

Издательство: 

  • АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера"

Год издания: 

2024

Страницы: 

670-671
Аннотация
Обсуждается выбор круга задач технологии СБИС и проектирования при- борных структур микро- и наноэлектроники, для моделирования которых релевантны нейросетевые методы. Показаны примеры применения К-систем, в частности, для сенсора УФ-излучения на основе матрицы наностержней.

Библиографическая ссылка: 

Матюшкин И.В., Тельминов О.А. Условия применимости формализма К-систем и нейросетей к имитационному моделированию процессов и приборов наноэлектроники / Сборник тезисов докладов X Российского форума "Микроэлектроника 2024". М.: АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера", 2024. Сборник тезисов докладов X Российского форума "Микроэлектроника 2024". С. 670-671.