В настоящее время разработка мемристоров на основе оксида галлия на кремние- вой подложке является одной из важнейших задач. В частности, разработка таких мем- ристоров необходима лля формирования элементной базы нового поколения на основе мемристоров. Такая элементная база будет иметь ряд существенных преимуществ с точки зрения архитектуры процессоров. В современной фон-неймановской архитекту- ре процессоров происходит потеря производительности за счёт обмена данными между памятью и областью вычислений. В мемристорной элементной базе вычисления будут происходить непосредственно в памяти за счёт изменения сопротивления мемристоров, что по сути является изменением синаптических весов в синапсах головного мозга.