79886 | ИПУ РАН

Автор(ы):

Автор(ов):

Параметры публикации

Тип публикации:

Тезисы доклада

Название:

Современные подходы к повышению надежности мемристорных структур для формирования элементной базы нового поколения

ISBN/ISSN:

1993-8578

DOI:

10.22184/1993-8578.2024.17.10s.679.680

Наименование конференции:

X Российский форум, Школа молодых ученых "Микроэлектроника 2024"

Наименование источника:

Тезисы докладов X Российского форума, Школы молодых ученых "Микроэлектроника 2024"

Город:

Москва

Издательство:

АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера"

Год издания:

2024

Страницы:

679-680

Аннотация

В данной работе проводится анализ проблемы надежности мемристорных структур, рассмотрены современные подходы к снижению количества пробоев при переключении мемристоров и повышению выхода годных структур.

Библиографическая ссылка:

Мизгинов Д.С., Тельминов О.А., Горнев Е.С. Современные подходы к повышению надежности мемристорных структур для формирования элементной базы нового поколения / Тезисы докладов X Российского форума, Школы молодых ученых "Микроэлектроника 2024". М.: АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера", 2024. С. 679-680.