В работе изложены принципы действия, построения и характеристики тонкопленочных многослойных магниторезистивных (МР) элементов памяти, в том числе новых предложенных анизотропных МР элементов включая разработку технологии и исследование опытных образцов. Приведены результаты теоретического исследования МР запоминающих элементов, основанных на недавно открытом спин-вентильном ("гигантском") магниторезистивном эффекте. Авторами исследованы МР структуры и предложены методы динамического и статического считывания, улучшающие характеристики известных зарубежных элементов.