Ранее было определено, что при помощи воздействия инфракрасного излучения на биполярные транзисторы, можно существенно изменять их радиационную стойкость, производить отжиг радиационно-индуцированных дефектов, а так же моделировать эффект низкой интенсивности. В данной работе рассмотрен вопрос, не оказывает ли инфракрасное излучение негативного воздействия на быстродействие биполярных транзисторов. Первые эксперименты показали отсутствие такого влияния.