Библиографическая ссылка:
Васильев А.Г., Захаров Р.А., Орликовский А.А., Рогожин А.Е., Сонин М.С., Хорин И.А. Электрофизические характеристики затворных структур с HfO2, сформированных методом электронно-лучевого испарения // Журнал Микроэлектроника. 2009. С. -.