Автор(ы): Юров В. М. (Карагандинский государственный университет им. академика Е.А.Букетова)Гончаренко В. И. (ИПУ РАН, Лаборатория 46)Олешко В. С. (МАИ)Автор(ов): 3 Параметры публикацииТип публикации: Статья в журнале/сборникеНазвание: Анизотропия поверхностной энергии и поверхностного слоя некоторых халькогенидов металловЭлектронная публикация: ДаISBN/ISSN: -DOI: doi: 10.18411/lj-02-2021-37Наименование источника: Тенденции развития науки и образованияОбозначение и номер тома: № 70, Ч. 1Город: СамараИздательство: НИЦ "Л-Журнал"Год издания: 2021Страницы: 151-161 АннотацияВ работе предлагается эмпирическая модель, которая в сочетании с моделью Русанова А.И. дает возможность рассчитывать анизотропию поверхностной энергии и толщину поверхностного слоя металлов и их соединений. Произведены расчеты шести халькогенидов металлов. Поверхностная энергия и толщина поверхностного слоя оказывают существенное влияние на наноэлектронику, поскольку в нанообласти размерные эффекты влияют на все физические эффекты. Библиографическая ссылка: Юров В.М., Гончаренко В.И., Олешко В.С. Анизотропия поверхностной энергии и поверхностного слоя некоторых халькогенидов металлов // Тенденции развития науки и образования. 2021. № 70, Ч. 1. С. 151-161 .