5648

Автор(ы): 

Автор(ов): 

2

Параметры публикации

Тип публикации: 

Тезисы доклада

Название: 

Использование предварительной обработки ультрафиолетовым и инфракрасным излучением для диагностики радиационного отклика биполярных и МОП-транзисторов

Наименование конференции: 

  • Радиационная стойкость электронных систем

Город: 

  • -

Издательство: 

  • -

Год издания: 

2008

Страницы: 

-
Аннотация
Схемотехника современных систем управления различными технологическими процессами, атомными электростанциями, бортовой электроникой космических аппаратов основана на использовании МОП транзисторов в качестве логических элементов (дискретно или в составе БИС), и биполярных транзисторов в качестве мощных силовых каскадов. В ряде случаев (функционирование космического аппарата, контроль процессов атомной АЭС), не представляется возможной быстрая замена вышедших из строя вследствии радиационного воздействия элементов электроники. Для этого, необходимо провести исследование радиационной деградации элементов электроники чтобы предсказать сроки её выхода из строя. В работе исследуются методы ускоренной диагностики радиационного отклика полупроводниковых приборов.

Библиографическая ссылка: 

Башин А.Ю., Авдеев Г.И. Использование предварительной обработки ультрафиолетовым и инфракрасным излучением для диагностики радиационного отклика биполярных и МОП-транзисторов / . -: -, 2008. С. -.