4326

Автор(ы): 

Автор(ов): 

2

Параметры публикации

Тип публикации: 

Тезисы доклада

Название: 

Влияние смещения перехода эмиттер-база в процессе воздействия инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярного транзистора

Наименование конференции: 

  • Радиационная стойкость электронных систем

Город: 

  • -

Издательство: 

  • -

Год издания: 

2007

Страницы: 

89-90
Аннотация
Установлено, что при помощи совместного воздействия ИК излучения и напряжения смещения перехода эмиттер-база возможно как усиление, так и ослабление радиационной деградации биплоярных транзисторов. Это позволяет моделировать такие эффекты, как эффект низкой интенсивности, воздействие радиационного излучения при повышенной температуре и т.д.

Библиографическая ссылка: 

Башин А.Ю., Павлов Д.Ю. Влияние смещения перехода эмиттер-база в процессе воздействия инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярного транзистора / . -: -, 2007. С. 89-90.