Автор(ы): Башин А. Ю. (ИПУ РАН, Лаборатория 02) НЕАКТУАЛЬНАЯ ЗАПИСЬПавлов Д. Ю. (?)Автор(ов): 2 Параметры публикацииТип публикации: Тезисы докладаНазвание: Влияние смещения перехода эмиттер-база в процессе воздействия инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярного транзистораНаименование конференции: Радиационная стойкость электронных системГород: -Издательство: -Год издания: 2007Страницы: 89-90 АннотацияУстановлено, что при помощи совместного воздействия ИК излучения и напряжения смещения перехода эмиттер-база возможно как усиление, так и ослабление радиационной деградации биплоярных транзисторов. Это позволяет моделировать такие эффекты, как эффект низкой интенсивности, воздействие радиационного излучения при повышенной температуре и т.д. Библиографическая ссылка: Башин А.Ю., Павлов Д.Ю. Влияние смещения перехода эмиттер-база в процессе воздействия инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярного транзистора / . -: -, 2007. С. 89-90.