42480

Автор(ы): 

Автор(ов): 

8

Параметры публикации

Тип публикации: 

Статья в журнале/сборнике

Название: 

Спин-туннельные магниторезистивные переходы на основе металлических многослойных магнитных наноструктур

ISBN/ISSN: 

0044-4642

Наименование источника: 

  • Журнал технической физики

Обозначение и номер тома: 

Т. 87, № 8

Город: 

  • Санкт Петербург

Издательство: 

  • Наука

Год издания: 

2017

Страницы: 

1268-1270
Аннотация
Представлены результаты исследования характеристик спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) элементов, сформированных на основе многослойных наноструктур масочным методом. Исследованы тестовые образцы СТМР элементов, обладающие величиной ГМР эффекта до 50% и сопротивлением 30÷35кОм, в отсутствии магнитного поля.

Библиографическая ссылка: 

Амеличев В.В., Беляков П.А., Васильев Д.В., Костюк Д.В., Касаткин С.И., Крикунов А.И., Жилов В.Г., Осипов А.А. Спин-туннельные магниторезистивные переходы на основе металлических многослойных магнитных наноструктур // Журнал технической физики. 2017. Т. 87, № 8. С. 1268-1270.