Излагаются принципы построения математической модели полупроводникового фотоприемника, предназначенного для работы в составе специализированных систем технического зрения. Составлена система дифференциальных уравнений, описывающая физические процессы протекающие в отдельных конструктивно заданных участках структуры фотоприемника и проведен анализ ее решений при различных воздействиях на фотоприемник. Приведены семейства расчетных и экспериментальных характеристик и их сравнительный анализ.