34311

Автор(ы): 

Автор(ов): 

5

Параметры публикации

Тип публикации: 

Статья в журнале/сборнике

Название: 

Разработка гальванических развязок на основе наноструктур со спин-вентильным магниторезистивным эффектом

Наименование источника: 

  • Датчики и системы

Обозначение и номер тома: 

№ 4

Город: 

  • Москва - Кемерово

Издательство: 

  • СИНТЕГ

Год издания: 

2015

Страницы: 

32-36
Аннотация
Рассмотрены основы конструктивно-технологических решений, применяемых в гальванических развязках с гигантским магниторезистивным эффектом. Представлены результаты исследований наноструктур с антиферромагнитной FeMn пленкой.

Библиографическая ссылка: 

Беляков П.А., Костюк Д.В., Абанин П.Е., Амеличев В.В., Касаткин С.И. Разработка гальванических развязок на основе наноструктур со спин-вентильным магниторезистивным эффектом // Датчики и системы. 2015. № 4. С. 32-36.