Библиографическая ссылка:
Амеличев В.В., Галушков А.И., Гамарц И.А., Касаткин С.И., Муравьев А.М., Плотникова Н.В., Пудонин Ф.А. Влияние технологических операций при изготовлении спин-туннельного магниторезистивного перехода на магнитные свойства наноструктур / . -: -, 2007. С. -.