Параметры документаНазвание: Высокочастотный магниточувствительный наноэлементНомер заявки: 2009110331Дата подачи заявки: 20.03.2009 АннотацияКраткое описание: Предложен высокочастотный магниторезистивный наноэлемент. Библиографическая ссылка: Касаткин С. И., Вагин Д. В. Высокочастотный магниточувствительный наноэлемент: Патент на изобретение № 2391747 РФ; Зарег. 10.06.2010.
