Параметры документаНазвание: Многослойная тонкоплёночная магниторезистивная наноструктураНомер заявки: 2007110085Дата подачи заявки: 19.03.2007 АннотацияКраткое описание: Предложена магниторезистивная наноструктура с новым свойствами. Библиографическая ссылка: Касаткин С. И., Муравьев А. М., Пудонин Ф. А. Многослойная тонкоплёночная магниторезистивная наноструктура: Патент на изобретение № 2334306 РФ; Зарег. 20.09.2008.
