Параметры документаНазвание: Многослойная тонкоплёночная магниторезистивная наноструктураНомер заявки: 2005121801/09Дата подачи заявки: 11.07.2005 Библиографическая ссылка: Касаткин С. И., Муравьев А. М., Пудонин Ф. А. Многослойная тонкоплёночная магниторезистивная наноструктура: Патент на изобретение № 2294026 РФ; Зарег. 20.02.2007.