В работе изучается вопрос воздействия радиационного излучения на МОП транзисторы, работающие в составе управляющей электроники. Особое внимание уделено сравнению степени радиационной деградации транзисторов при одинаковой суммарной поглощенной дозе, но при различной частоте переключения в процессе радиационного воздействия. Данный вопрос чрезвычайно актуален для современных систем управления бортовой электроники космических аппаратов, атомных электростанций, технологических процессов связанных с повышенным уровнем радиационного фона.