Статьи в журналах/сборниках из перечня ВАК |
| 1 | Амеличев В.В., Гамарц И.А., Галушков А.И., Лопатин В.В., Касаткин С.И., Муравьев А.М., Плотникова Н.В., Сауров А.Н. Анизотропные магниторезистивные датчики магнитного поля и тока // Автоматика и телемеханика. 2009. С. -. | 2009 |
| 2 | Амеличев В.В., Гамарц И.А., Галушков А.И., Лопатин В.В., Касаткин С.И., Муравьев А.М., Плотникова Н.В. Тонкоплёночные анизотропные магниторезистивные наноэлементы для систем контроля // Датчики и системы. 2009. С. -. | 2009 |
| 3 | Амеличев В.В., Галушков А.И., Дягилев В.В., Касаткин С.И., Лопатин В.В., Муравьев А.М., Резнев А.А., Сауров А.Н., Суханов В.С. Микроэлектронная магниторезистивная технология // Нано и микросистемная техника. 2007. № 3. С. 22-26. | 2007 |
Доклады |
| 4 | Амеличев В.В., Галушков А.И., Гамарц И.А., Касаткин С.И., Муравьев А.М., Плотникова Н.В. Анизотропная магниторезистивная головка-градиометр магнитного поля и тока / . -: -, 2008. С. -. | 2008 |
| 5 | Касаткин С.И., Амеличев В.В., Гамарц И.А., Галушков А.И., Лопатин В.В., Муравьев А.М., Плотникова Н.В., Сауров А.Н. Анизотропные магниторезистивные датчики магнитного поля и тока / . -: -, 2008. С. -. | 2008 |
| 6 | Амеличев В.В., Галушков А.И., Касаткин С.И., Крикунов А.И., Муравьев А.М., Пудонин Ф.А., Сауров А.Н. Элементы спинтроники на основе наноструктур с гигантским магниторезистивным эффектом / . -: -, 2006. С. -. | 2006 |
Тезисы докладов |
| 7 | Амеличев В.В., Галушков А.И., Гамарц И.А., Касаткин С.И., Муравьев А.М., Плотникова Н.В., Пудонин Ф.А. Влияние технологических операций при изготовлении спин-туннельного магниторезистивного перехода на магнитные свойства наноструктур / . -: -, 2007. С. -. | 2007 |
| 8 | Амеличев В.В., Галушков А.И., Касаткин С.И., Лопатин В.В., Муравьев А.М. Исследование технологии создания и параметров биполярных магнитотранзисторов с многослойными концентраторами магнитного поля / . -: -, 2006. С. -. | 2006 |
| 9 | Амеличев В.В., Галушков А.И., Касаткин С.И., Муравьев А.М., Пудонин Ф.А., Крикунов А.И. Исследование спин-туннельных магниторезистивных переходов / . -: -, 2006. С. -. | 2006 |
