Статьи в журналах/сборниках из перечня ВАК |
| 1 | Касаткин С.И., Муравьев А.М., Плотникова Н.В., Пудонин Ф.А., Ажаева Л.А., Ходжаев В.Д. Магниторезистивные датчики на основе многослойных тонкоплёночных структур // Вычислительные технологии. 2005. С. 56-64. | 2005 |
Доклады |
| 2 | Амеличев В.В., Галушков А.И., Касаткин С.И., Крикунов А.И., Муравьев А.М., Пудонин Ф.А., Сауров А.Н. Элементы спинтроники на основе наноструктур с гигантским магниторезистивным эффектом / . -: -, 2006. С. -. | 2006 |
Тезисы докладов |
| 3 | Амеличев В.В., Галушков А.И., Гамарц И.А., Касаткин С.И., Муравьев А.М., Плотникова Н.В., Пудонин Ф.А. Влияние технологических операций при изготовлении спин-туннельного магниторезистивного перехода на магнитные свойства наноструктур / . -: -, 2007. С. -. | 2007 |
| 4 | Амеличев В.В., Галушков А.И., Касаткин С.И., Муравьев А.М., Пудонин Ф.А., Крикунов А.И. Исследование спин-туннельных магниторезистивных переходов / . -: -, 2006. С. -. | 2006 |
| 5 | Медведь А.В., Касаткин С.И., Крышталь Р.Г., Пудонин Ф.А. Direct Measurements of Coercitivity and Exchange Bias Field in Electroconductive Magnetic Nano-Layers Using Anisotropic Magnetoresistance / . -: -, 2005. С. -. | 2005 |
Патенты/Свидетельства |
| 6 | Касаткин С. И., Муравьев А. М., Пудонин Ф. А. Многослойная тонкоплёночная магниторезистивная наноструктура: Патент на изобретение № 2334306 РФ; Зарег. 20.09.2008. | 2008 |
| 7 | Касаткин С. И., Муравьев А. М., Пудонин Ф. А. Многослойная тонкоплёночная магниторезистивная наноструктура: Патент на изобретение № 2294026 РФ; Зарег. 20.02.2007. | 2007 |
