Автор(ы): Башин А. Ю. (ИПУ РАН, Лаборатория 02) НЕАКТУАЛЬНАЯ ЗАПИСЬИванов М. А. (?)Автор(ов): 2 Параметры публикацииТип публикации: Тезисы докладаНазвание: Исследование зависимости эффективности отжига радиационных дефектов в МОП транзисторах при помощи инфракрасного излучения от интенсивности данного излученияНаименование конференции: Радиационная стойкость электронных системГород: -Издательство: -Год издания: 2010Страницы: 91-92 АннотацияВ данной работе проводилось исследование эффективности отжига радиационных дефектов в зависимости от количества инфракрасных светодиодов (т.е. интенсивности), облучающих поверхность кристалла с МОП транзисторами. Как и предполагалось, было установлено, что при некоторой интенсивности излучения, наступает «насыщение» отжига, и дальнейшее её увеличение не приводит к существенному ускорению процесса. Библиографическая ссылка: Башин А.Ю., Иванов М.А. Исследование зависимости эффективности отжига радиационных дефектов в МОП транзисторах при помощи инфракрасного излучения от интенсивности данного излучения / . -: -, 2010. С. 91-92.