Проведен краткий анализ современного состояния проблемы фотоэлектрического преобразования с использованием фоторезистивных полупроводниковых материалов для ближней и средней инфракрасной (ИК) областей оптического спектра. Установлено, что ключевым аспектом этой проблемы является фактор самонагрева фотоприемной структуры рабочим измерительным током и как следствие – ее самозасвечивание в ИК-спектральном диапазоне. Предложено для кардинального снижения влияния самозасвечивающего фонового ИК-излучения применить мостовую схему включения фотоприемной структуры и перевести ее на режим питания короткими одиночными им-пульсами измерительного напряжения.Показано, что для обеспечения такого режима фоторезистивная цепь пи-тающей диагонали измерительного моста может быть включена в схему транзисторно-резисторного эквивалента тиристора (ТРТ-схему) в качестве порого-задающего резистора. В результате ключевая ТРТ-схема приобретает фото-сенсорные свойства, а фотоприемная структура – способность работать в ре-жиме коротких одиночных импульсов питания. Дано описание методологии расчета и анализа измерительной мостовой схемы на примере эквивалентной схемы фоточувствительного элемента (ФЧЭ) координатного фоторезистивного преобразователя (КФРП). Представлена в общем виде базовая система аналитических выражений для расчета оптимальных электрофизических параметров полупроводникового материала и конструкционных параметров схемных элементов мостового ФЧЭ.