Автор(ы): Башин А. Ю. (ИПУ РАН, Лаборатория 02) НЕАКТУАЛЬНАЯ ЗАПИСЬАвтор(ов): 1 Параметры публикацииТип публикации: Тезисы докладаНазвание: Отжиг радиационных дефектов в биполярных npn транзисторах при помощи воздействия инфракрасного излученияНаименование конференции: Радиационная стойкость электронных системГород: МоскваИздательство: -Год издания: 2006Страницы: 29-30 Библиографическая ссылка: Башин А.Ю. Отжиг радиационных дефектов в биполярных npn транзисторах при помощи воздействия инфракрасного излучения / . М.: -, 2006. С. 29-30.
