Вольтамперные характеристики зон контакта между двумя различными полупроводниками или металлом и полупроводником хорошо изучены. Однако при разработке новых транзисторных структур могут встретиться некоторые особенности. Так, в устройствах для регистрации слабых сигналов малосигнальные нелинейности могут оказывать значительное влияние на результаты измерений. В предлагаемом устройстве для тестирования нелинейности полупроводниковых структур при слабых сигналах используется интегрирование токов, протекающих через структуру под воздействием двуполярного сигнала синусоидальной формы. Это позволяет сократить трудоемкость тестирования по сравнению со снятием характеристик «по точкам». Кроме того, синхронизация частоты повторения тактов интегрирования с частотой питающей сети позволила существенно ослабить влияние сетевых помех на результаты тестирования. Тем не менее, устройство нуждается в тщательной экранировке.