Лаборатория создана заслуженным деятелем науки РФ д.т.н., профессором Наталией Петровной Васильевой в 1977 г. на базе группы, в
В последние 15 лет основные работы лаборатории относятся к области теоретических, экспериментальных и технологических исследований наноэлементов магнитной спинтроники. Конкретно, ведутся исследования МР многослойных тонкоплёночных элементов: датчиков магнитного поля, запоминающих и логических наноэлементов и др. Разрабатывается
Разработка и исследование МР наноэлементов. Сегодня в мире активно ведётся разработка и выпуск наноэлементов на АМР эффекте, достигающем величины 1,5–2,5%, и на относительно недавно открытых двух разновидностях гигантского МР (ГМР) эффекта:
НАТАЛИЯ ПЕТРОВНА ВАСИЛЬЕВА
Заслуженный деятель науки России, доктор технических наук, профессор Наталия Петровна Васильева является крупным учёным в области магнитных запоминающих и логических устройств автоматики и вычислительной техники. В Институте работает с 1950 г., с 1977 г. — заведующая лабораторией, с 1991 г. — главный научный сотрудник.
Под руководством
В 1977 г. Наталия Петровна создаёт и возглавляет в Институте лабораторию запоминающих устройств вычислительной техники на непрерывных магнитных средах. В этих магнитных средах, позволяющих создавать энергонезависимые и
С 1988 г.
Результаты работ
Элементы с АМР эффектом. В лаборатории разработаны многослойные и однослойные АМР датчики магнитного поля и тока, предложены новые методы управления и конструкции, проведён теоретический анализ их работоспособности. Основным достоинством многослойных датчиков является многократно уменьшенный, по сравнению с широко распространёнными однослойными, гистерезис. Это позволяет использовать их во многих применениях как аналоговые устройства, за исключением области магнитных полей, близких к пределу чувствительности датчиков. В настоящее время сотрудниками лаборатории ведутся работы по внедрению этих датчиков в нескольких организациях.
Элементы с СВМР и СТМР эффектом. На основе СВМР и СТМР наноструктур за рубежом разработаны и уже выпускаются датчики магнитного поля и тока, гальванические развязки с уникальными параметрами, головки считывания, МР энергонезависимые однокристальные запоминающие устройства с произвольной выборкой (ЗУПВ). Начаты исследования спиновых транзисторов и микропроцессоров, новым параметром которых является направление спина электрона.
В лаборатории проведены теоретические исследования наноэлементов обоих типов для применения их в качестве запоминающих и логических элементов, датчиков магнитного поля; предложены новые методы управления и конструкции. В последние годы совместно с рядом организаций проводятся экспериментальные и технологические исследования
Магнитополупроводниковые элементы. Одной из новых перспективных тенденций магнитной спинтроники стала разработка магнитополупроводниковых наноструктур. За рубежом они применяются в спиновых транзисторах, в наноструктурах с ГМР эффектом их применение увеличивает этот эффект. Лаборатория совместно с рядом организаций занимается исследованием магнитных свойств МР наноструктур с полупроводниковыми SiC слоями. Впервые обнаружено влияние полупроводникового слоя на процессы перемагничивания магнитных слоёв.
Разработка приборов с АМР датчиками. В настоящее время совместно с заинтересованными организациями ведётся разработка измерительного прибора на принципах магнитной локации, базирующегося на созданном в рамках этой работы алгоритме и матобеспечении определения пространственных и угловых координат магнитного диполя. Области применения подобных приборов: тренажёры, трёхмерные компьютерные манипуляторы, медицинские приборы, неразрушающий дистанционный контроль материалов и изделий, обнаружение объектов, обладающих магнитными полями
Перспективы. Магнитная спинтроника, как ветвь нано- и микроэлектроники, занимающаяся разработкой элементов с фиксацией направления спина электрона в качестве параметра, в настоящее время является одной из наиболее активно развиваемых в мире. Это направление относится к наукоёмким технологиям двойного назначения, определяющим научный и технологический потенциал страны. Лаборатория будет продолжать работы в области исследования новых видов ГМР и магнитополупроводниковых наноструктур, разработки МР наноэлементов на их основе и приборов с МР наноэлементами.
Сотрудники лаборатории участвуют в работах по грантам РФФИ и договорам с
В 2001 и 2005 гг. выпущены монографии, отражающие основные теоретические и практические результаты: